西安電子科技大學郝躍課題組–石墨烯上選擇性成核AlN激活可轉移GaN用于高亮度紫光發光二極管

在改進過的氮化鋁(AlN)/石墨烯複合襯底上生長可轉移GaN外延層。本研究采用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法進行理論計算,進一步研究了石墨烯上AlN的形成機理。AlN通過其最佳成核位點選擇性地在石墨烯上生長,從而導緻AlN通過準範德華外延在石墨烯上選擇性成核。因此,利用金屬有機化學氣相沉積的時間分布和恒壓生長方法,在石墨烯和GaN之間創新性地插入了AlN複合成核層。此外,通過克服石墨烯與外延…

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