拉伸二硫化钼晶體造出能隙可變半導體 新聞中心 / News 2015年6月30日 1992 這張放大1萬倍的圖片顯示，一個電子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”，鋪在上面的二硫化钼經過拉伸後，形成了一種擁有可變能隙的人工晶體。 閱讀更多»
