科普專欄 / Information

在絕緣基底上制備大面積石墨烯

浦項科技大學的Hee Cheul Choi教授課題組通過低壓CVD實現了在絕緣基底(石英)上單層石墨烯的高質量制備。他們将銅箔與犧牲層SiO2/Si進行直接的物理接觸,目标石英基底則放置在銅箔的上方,最終形成石英/銅箔/SiO2/Si“三明治”夾層結構。直接物理接觸的銅箔和犧牲層在高溫下會産生大量銅蒸氣,并且被捕獲在石英和犧牲層之間,以催化石墨烯在絕緣基底上的直接生長。該法生長的石墨烯具有與常規銅箔CVD法所制備晶體相當的質量。

該項工作通過構築石英/銅箔/SiO2/Si的夾層結構實現在絕緣基底上高質量石墨烯的直接制備,無需複雜的轉移過程。此項工作拓寬了石墨烯的應用,也開發了使用氣相催化劑直接制備納米材料的生長方法,由此成功發表在了Angew. Chem. Int. Ed.上。

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